Сделать домашней страницей // Главная // Новости // Hardware  Навигация по порталу: 
Новости
Почта
Форум
Афиша
Дневники
Чаты
Знакомства
Недвижимость
Туризм
Альбомы
Гороскопы
Объявления
Видео
Кулинария
Фавориты Пишите Информация
Поиск в интернете
 Последние новости
Интернет
Наука
В мире
Общество
Курьезы
Новости Израиля
Новости городов Израиля
Культура
ТВ анонсы
Медицина и здоровье
Непознанное
Спорт
Происшествия
Безопасность
Софт
Hardware
Туризм
Кулинария
От редактора
Архив новостей
<< Май 2024 >>
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
    1 2 3 4 5
6 7 8 9 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30 31    

Поиск в новостях
Новостные сайты
Российский центр культуры
Корреспондент.net
DELFI
Day.Az
ПРАВДА
Пресса Молдовы
Лента.ру
Новый регион 2
ЦентрАзия
ГрузияOnline
Еврейский центр
Благовест
Христианское общение
Авиабилеты Журнал Леди Экспорт новостей Бизнес каталог
Афиша Фотогалереи Экспорт гороскопов Хостинг
Погода Анекдоты Новости потребителя Реклама в интернете
Игры Отдых в Израиле Доска объявлений Построение сайтов
Hardware
  22.08.2016 22:50 | G.Skill представила модули памяти DDR4-3333 со сниженными задержками
Компания G.Skill представила на IDF 2016 новые комплекты памяти DDR4-3333, заточенные на работу с платформой Intel Broadwell-E. Хотя модули с такой частотой присутствуют в ассортименте G.Skill уже два года, в этот раз компания уделила внимание другим характеристикам: объему и задержкам.

Не секрет, что задержи ОЗУ с каждым новым поколением памяти необратимо растут: десять лет назад отличным значением считалось 2-2-2-5, теперь оно составляет 13-13-13-33 у комплекта Trident Z DDR4-3333 объемом 64 ГБ, набранном восемью планками. Пару лет назад модули такой частоты демонстрировали задержки 16-16-16-36, так что прогресс в этой области имеется.

Также представлены обновления в семействах модулей G.Skill Trident Z и Ripjaws (типоразмера SO-DIMM). В первом случае объем комплекта достиг 128 ГБ, он также набран восемью планками, а тайминги чуть возросли до 14-14-14-34. Во втором случае суммарный объем 32 ГБ потребовал всего две планки, а задержки составили 16-18-18-43. Все новинки базируются на микросхемах ОЗУ Samsung и работают при напряжении 1,35 В.
Источник: G.Skill

Первоисточник: ixbt.com »
Новости по теме
22.08.2016 | Смартфон Samsung Z2 получит скромный аккумулятор и 1 ГБ ОЗУ
22.08.2016 | Толщина внешнего накопителя Adata HC660 на базе HDD составляет 9,6 мм
22.08.2016 | В начале сентября Huawei представит планшетный компьютер MediaPad M3
22.08.2016 | Samsung готовит флагманский смартфон Z9 под управлением ОС Tizen
18.08.2016 | Процессор Intel Pentium N4200 (Apollo Lake) получит четыре ядра, частоту до 2,5 ГГц и TDP 6 Вт
17.08.2016 | Смартфон Huawei Mate S2 будет очень похож на Nexus 6P
17.08.2016 | 300-долларовый смартфон Blu Products Pure XR оснащён 4 ГБ ОЗУ
17.08.2016 | Защищенный смартфон Kyocera DuraForce Pro оснащен сдвоенной камерой
17.08.2016 | Нетбук Chuwi Hi10 Pro поступает в продажу по цене $199
17.08.2016 | Опубликованы первые изображения смартфона Oppo R9s

Поиск знакомств
 Я
 Ищу
от до
 Новости  Скидки и предложения  Мода  Погода  Игры он-лайн  Интернет каталог
 Дневники  Кулинарная книга  Журнал Леди  Фотоальбомы  Анекдоты  Бесплатная почта
 Построение сайтов  Видео  Доска объявлений  Хостинг  Гороскопы  Флэш игры
Все права защищены © Алексей Каганский 2001-2008
Лицензионное соглашение
Реклама на сайте
Главный редактор Новостного отдела:
Валерий Рубин. т. 054-6715077
Связаться с редактором