Специалисты аналитической компании IDC подвели предварительные итоги первого квартала 2016 года на рынке микросхем флэш-памяти.

По их подсчетам, объем продаж флэш-памяти типа NAND за отчетный период составил примерно 8,65 млрд долларов, что на 6,4% больше показателя предшествующего квартала. Аналитики отмечают, что росту продаж способствовало продолжающееся вот уже семь кварталов подряд снижение цен. Оно, в свою очередь, вызвано постоянным увеличением объемов производства вследствие перехода основных участников рынка на более тонкий техпроцесс.

Samsung приступила к массовому производству микросхем флэш-памяти 3D V-NAND плотностью 256 Гбит

Интересно, что память SLC NAND составляет менее 5% всего объема поставок, а львиная доля приходится на память MLC NAND и TLC NAND, способную хранить в одной ячейке два или три бита информации соответственно. При этом доля TLC NAND за год увеличилась с 24% до 55%, в минувшем квартале впервые превысив половину всего объема рынка.

По словам аналитиков, в ближайшие год-два тенденция сохранится, поскольку производство TLC NAND является более рентабельным. Именно эта память используется в большинстве потребительских и даже части корпоративных SSD. Даже характеризуясь небольшим ресурсом, за счет низкой цены она помогла SSD по удельной стоимости хранения приблизиться к HDD. Проблема целостности данных решается с помощью избыточности и сложных алгоритмов распределения нагрузки, обнаружения и исправления ошибок. В среднем ячейка памяти современного SSD рассчитана на 1000 циклов перезаписи.

Следующим шагом на пути удешевления SSD специалисты IDC называют переход на память QLC NAND и QLC RO-NAND, способную хранить в одной ячейке четыре бита. Ее ресурс будет примерно равен 100 циклам перезаписи (память RO-NAND рассчитана на однократную запись). Эта память будет выпускаться по нормам 5-нанометрового класса и сменит флэш-память TLC NAND в качестве основной в апреле 2020 года.

Первоисточник: ixbt.com »