 |
09.02.2006 18:03 |
| |
Создана память, работающая при напряжении питания 0,4 В |
 |
Снижение потребления энергии является на протяжении многих лет одним из основных направлений работы исследователей, создающих новые полупроводниковые приборы. Благодаря их усилиям в нашем распоряжении оказались сотовые телефоны, персональные проигрыватели и другая портативная электроника, по автономности соперничающая с самыми смелыми ожиданиями писателей-фантастов прошлого века.
Поскольку практически все мобильные устройства содержат в своем составе память, снижение напряжения питания памяти - один из ключей к новым достижениям в миниатюризации устройств и увеличении времени их автономной работы.
Исследователям компании Texas Instruments и Массачусетского технологического института (Massachusetts Institute of Technology, MIT) удалось создать статическую память (SRAM), которая, как они утверждают, является наиболее низковольтной памятью этого типа в отрасли на данный момент.
Выполненные по 65-нм технологии 256-килобитные чипы работают от источника напряжением 0,4 В.
Ячейка новой памяти отличается от существующих образцов, работающих от напряжения 0,6 В, значительно пониженным током утечки - в 2,25 раза. Сообщается, что ячейка построена из 10 транзисторов, а не из 6, как ранее. Важным фактором в уменьшении энергопотребления стало усовершенствование структуры транзистора.
Ожидается, что разработка откроет дорогу сверхнизковольтным приборам, изготавливаем по 45-нм технологии.
Источник: EE Times
|
|
|
Навигация по порталу: 
