 |
09.02.2006 01:10 |
| |
Toshiba создаёт ёмкие модули FRAM и MRAM |
 |
CDRInfo сообщает о том, что компания Toshiba анонсировала свои новые разработки в области модулей памяти FRAM и MRAM, подняв их ёмкость до 64 и 16 Mb соответственно. Скорость чтения/записи для модулей обоих типов также значительно возросла и составляет теперь 200 MB/s. Продемонстрированы новые модули были на конференции ISSCC (International Solid-State Circuits Conference), прошедшей 6 февраля в Сан-Францско. FRAM, или ферроэлектрическая RAM (Ferroelectric Random Access Memory), – это долговременная энергонезависимая память, отличающаяся довольно высокой пропускной способностью. Сочетание скорости, сравнимой с DRAM или SRAM (dynamic/static random access memory), и независимость от источника энергии, как у Flash-памяти, делают FRAM удобной для использования в радиометках (RFID), смарт-картах и тому подобных устройствах. Кроме того, FRAM потребляет меньше электроэнергии, чем любой из вышеперечисленных типов памяти. 64 Mb модуль Toshiba изготавливается по 0.13 мкм технологии из CMOS (complementary metal-oxide semiconductor - комплементарный металло-оксидный) полупроводников. Он способен осуществлять коррекцию ошибок ЕСС, а также осуществлять чтение/запись на высоких (для этого типа памяти) скоростях. Средняя пропускная способность составляет 200 MB/s, а время доступа - 60 нс. Рабочим напряжением для памяти является 3.3 или 2.5 В. Ключевой особенностью Toshiba FRAM, позволившей достигнуть высоких скоростей работы, является пакетный режим передачи данных. MRAM, или магниторезистивная RAM, – молодая, по сравнению с FRAM, технология и максимальная ёмкость модуля на данный момент составляет 16 Mb. Характеристики MRAM и FRAM похожи – та же пропускная способность и область применения, но время доступа (34 нс) и питающее напряжение (1.8 В) у MRAM ниже.
|
|
|
Навигация по порталу: 
