 |
05.05.2006 03:41 |
| |
DDR3 от Nanya Technology |
 |
Тайваньский производитель DRAM-памяти Nanya Technology планирует выпустить небольшую партию DDR3 DIMM во второй половине этого года, сообщил вице-президент по продажам и маркетингу Nanya Пей-лин Пая (Pei-lin Pai).Nanya не собирается в 2006 году пускать DDR3 в серийное производство, будет произведено лишь небольшое количество образцов в нынешнем году. В этом году чипы для модулей DDR3 будут изготовлены по техпроцессу 90 нм, а позже, когда DDR3 пойдет в массовое производство, Nanya перейдет на 70 нм техпроцесс. Согласно прогнозам компании, переход на серийное производство DDR3 и технологию процесса 70 нм Nanya осуществит в 2008 году.Отметим некоторые особенности новой памяти. Во-первых, это более низкое рабочее напряжение, чем у DDR2 (1.5 В против 1.8 В). Во-вторых, буфер предварительной выборки будет расширен до 8 бит, против 4 бит у DDR2. В-третьих, скорость новой памяти будет выше. Так, DDR3 будет иметь скорость передачи данных от 800 Mbit/s (DDR3-800) до 1600 Mbit/s (DDR3-1600). В-четвертых, будет поднята латентность памяти до 10. Чипы DDR3 будут сделаны в 3 вариантах: в корпусе 78-ball FBGA (x4 и x8) и в корпусе 96-ball FBGA (х16).Спецификации DDR3 сейчас утверждаются в JEDEC, конечный вариант которых, как полагает компания, появится лишь ближе к 2008 году, информирует DigiTimes.На этой неделе на выставке SemiTech Taipei Nanya показала 240 pin 1 GB модуль DDR3 unbuffered DIMM, сделанную в корпусе 78-ball FBGA (128x4) из чипов стандарта DDR3-1066, которые обеспечивают максимальную ширину полосы пропускания (bandwidth) около 8.5 GB/s (PC3-8500).
|
|
|
Навигация по порталу: 
