 |
18.04.2006 03:21 |
| |
Samsung представила DDR3 планку памяти |
 |
Мировой лидер в области производства модулей памяти, Samsung Electronics, продемонстрировал на IDF (Intel Developer Forum) DDR3-память. Компания отметила, что Intel начнет переход на следующее поколение памяти во второй половине следующего года.Донг Янг Ли, главный инженер Samsung Electronics Memory Group, сообщил, что компания готова к массовому производству DDR3 хоть во второй половине 2006 года, но это бессмысленно, так как нет платформ для совместной работы с данными модулями. Мистер Ли указал сроком массового производства данных модулей начало 2009 года, в это время, отмечает Донг Янг, DDR3 начнут вытеснять DDR2.Samsung продемонстрировал PC3-6400 модуль, который работал на частоте 800 МГц. В конечном счете, DDR3 будут работать на частотах 1066 МГц, 1333 МГц и даже на 1667 МГц. Компания сообщила, что DDR3-чипы будут созданы по технологии процесса 70 нм.Среди новых преимуществ указаны: ODT (On-Die Termination), уменьшение латентности, расширенные регистры, SDC (self-driver calibration), синхронизация данных и другие, информирует X-bit labs. Исследователь компьютерного рынка iSuppli ожидает что, DDR3 DRAM заменит своего предшественника DDR2 в 2008 году. iSuppli предвидит что DDR3 завоюет около 55% рынка в том же году, а уже в 2009 году - 65%, коммерческие эксклюзивные образцы данной памяти будут доступны уже в 2006 году.
|
|
|
Навигация по порталу: 
