 |
18.01.2006 14:50 |
| |
TSMC осваивает 80-нм процесс: еще полшага вперед |
 |
Тайваньский производитель полупроводниковой продукции TSMC начал выпуск микросхем с использованием 80-нм процесса. Нормы 80 мм являются промежуточным этапом между отметками 90 и 65 нм, принятыми в международной стратегии развития полупроводниковой технологии (International Technology Roadmap for Semiconductors), утвержденной SIA. Примечательно, что компании ATI и NVIDIA, не имеющие собственных производственных мощностей, уже поддержали действия TSMC.
Использование промежуточного шага позволит разработчикам улучшить показатели микросхем. В частности, площадь кристаллов при прочих равных условиях уменьшится на 19%. Таким образом, увеличивается количество микросхем, выпускаемых из материала одной пластины. В свою очередь, TSMC считает, что в некоторых случаях это позволит на 20% снизить стоимость в пересчете на единицу готовой продукции.
Процесс получен литографическим масштабированием существующей 90-нм технологии. Как следствие, большинство 90-нм библиотек и других разработок, подготовленных TSMC и ее партнерами, потребует незначительной доработки с учетом применения моделей 80-нм транзисторов. Топологические проектные нормы также получаются прямым линейным масштабированием существующих норм для 90-нм процесса.
На первом этапе 80-нм процесс TSMC будет использовать для производства высокопроизводительного варианта полупроводниковых приборов GT, за которым в феврале будет развернуто производство высокоскоростного варианта HS. В марте к ним присоединится вариант, оптимизированный по критерию пониженного энергопотребления LP. Еще процесс для энергосберегающих микросхем - GC - намечено освоить в третьем квартале 2006 года.
В прошлом, TSMC неоднократно использовала практику освоения промежуточных норм. Так, в эпоху массового внедрения 0,35-мкм поколения компания освоила нормы 0,30 мкм, а затем доработала 0,25-мкм процесс до норм 0,22 мкм. Недавние успехи TSMC в этой области относятся к сжатию 0,18-мкм процесса до 0,16-мкм и 0,13-мкм до 0,11.
Источник: EE Times
|
|
|
Навигация по порталу: 
