Сделать домашней страницей // Главная // Новости // Hardware  Навигация по порталу: 
Новости
Почта
Форум
Афиша
Дневники
Чаты
Знакомства
Недвижимость
Туризм
Альбомы
Гороскопы
Объявления
Видео
Кулинария
Фавориты Пишите Информация
Поиск в интернете
 Последние новости
Интернет
Наука
В мире
Общество
Курьезы
Новости Израиля
Новости городов Израиля
Культура
ТВ анонсы
Медицина и здоровье
Непознанное
Спорт
Происшествия
Безопасность
Софт
Hardware
Туризм
Кулинария
От редактора
Архив новостей
<< Апрель 2025 >>
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
  1 2 3 4 5 6
7 8 9 10 11 12 13
14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27
28 29 30        

Поиск в новостях
Новостные сайты
Российский центр культуры
Корреспондент.net
DELFI
Day.Az
ПРАВДА
Пресса Молдовы
Лента.ру
Новый регион 2
ЦентрАзия
ГрузияOnline
Еврейский центр
Благовест
Христианское общение
Авиабилеты Журнал Леди Экспорт новостей Бизнес каталог
Афиша Фотогалереи Экспорт гороскопов Хостинг
Погода Анекдоты Новости потребителя Реклама в интернете
Игры Отдых в Израиле Доска объявлений Построение сайтов
Hardware
  03.10.2005 09:10 | Seiko Epson ценит в памяти гибкость
Специалистам японской компании Seiko Epson удалось спроектировать и изготовить оперативную память, отличающуюся, в буквальном смысле слова, гибкостью.
Компания продемонстрировала модуль SRAM объемом 16 килобит, полученный в результате работы. Первоначально, электронные цепи модуля были сформированы на стеклянной подложке по технологии низкотемпературного поликристаллического кремния, а затем — перенесены на гибкую пластиковую основу при помощи технологии SUFTLA, разработанной в Seiko Epson.
По словам компании, это "первая в мире гибкая память SRAM, выполненная по технологии низкотемпературного поликристаллического кремния". Напомним, технология SUFTLA уже позволила Seiko Epson изготовить гибкую "электронную бумагу" и гибкий 8-разрядный микропроцессор. Представитель компании сообщил, что гибкая память и гибкий процессор были проверены в совместной работе: память была использована для временного хранения данных тестовой программы.
Каждая ячейка памяти состоит из шести транзисторов. Ее размеры — 68 x 47,5 микрометров. Память работает при напряжении питания от +3 до +6 В. Для уменьшения времени доступа, в модуль интегрирован усилитель считывания. Это позволило при напряжении питания +6 В обеспечить время чтения — 200 нс, записи — 100 нс. С понижением напряжения до +3 В, время возрастает до 650 и 325 нс, соответственно. Общий размер схемы — 10,77 x 8,28 мм, а толщина — 200 мкм.
Источник: Nikkei Electronics
Первоисточник: ixbt.com »
Новости по теме
03.10.2005 | Sony и Sandisk представляют формат Memory Stick Micro
03.10.2005 | VIA и Mini-box анонсируют первый мини-ПК для автомобиля по цене 300 долларов
01.10.2005 | Blu-ray и HD DVD - борьба продолжается
30.09.2005 | Albatron K8NF4X-754: системные платы для Athlon 64 Socket 754
30.09.2005 | Fujitsu Siemens: сверхлегкий ноутбук LIFEBOOK P1510
30.09.2005 | Sanyo FOMA SA700iS: 3G-мобильник с GPS-навигацией
30.09.2005 | У японцев все маленькое.
30.09.2005 | Toshiba оттягивает выход проигрывателей HD DVD
30.09.2005 | Sony хочет развлечь владельцев карманных консолей
30.09.2005 | Цены на LCD-панели для телевизоров продолжают снижаться

Поиск знакомств
 Я
 Ищу
от до
 Новости  Скидки и предложения  Мода  Погода  Игры он-лайн  Интернет каталог
 Дневники  Кулинарная книга  Журнал Леди  Фотоальбомы  Анекдоты  Бесплатная почта
 Построение сайтов  Видео  Доска объявлений  Хостинг  Гороскопы  Флэш игры
Все права защищены © Алексей Каганский 2001-2008
Лицензионное соглашение
Реклама на сайте
Главный редактор Новостного отдела:
Валерий Рубин. т. 054-6715077
Связаться с редактором