Сделать домашней страницей // Главная // Новости // Наука  Навигация по порталу: 
Новости
Почта
Форум
Афиша
Дневники
Чаты
Знакомства
Недвижимость
Туризм
Альбомы
Гороскопы
Объявления
Видео
Кулинария
Фавориты Пишите Информация
Поиск в интернете
 Последние новости
Интернет
Наука
В мире
Общество
Курьезы
Новости Израиля
Новости городов Израиля
Культура
ТВ анонсы
Медицина и здоровье
Непознанное
Спорт
Происшествия
Безопасность
Софт
Hardware
Туризм
Кулинария
От редактора
Архив новостей
<< Сентябрь 2025 >>
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
1 2 3 4 5 6 7
8 9 10 11 12 13 14
15 16 17 18 19 20 21
22 23 24 25 26 27 28
29 30          

Поиск в новостях
Новостные сайты
Российский центр культуры
Корреспондент.net
DELFI
Day.Az
ПРАВДА
Пресса Молдовы
Лента.ру
Новый регион 2
ЦентрАзия
ГрузияOnline
Еврейский центр
Благовест
Христианское общение
Авиабилеты Журнал Леди Экспорт новостей Бизнес каталог
Афиша Фотогалереи Экспорт гороскопов Хостинг
Погода Анекдоты Новости потребителя Реклама в интернете
Игры Отдых в Израиле Доска объявлений Построение сайтов
Наука
  23.05.2009 23:19 | Американцы создали "вечную" память
технологии, память
ВАШИНГТОН, 23 мая. Американские ученые изобрели запонминающее устройство, которое способно хранить информацию практически вечно. Как сообщает портал AllBiz, группа ученых сконструировала простой электромеханический запоминающий элемент, кодирование информации в котором осуществляется с помощью наночастицы железа, перемещающейся внутри нанотрубки.
Как заявляют авторы работы, современные запоминающие устройства демонстрируют плотность записи данных около 10-100 гигабит на квадратный дюйм, обеспечивая сохранность информации на период от 10 до 30 лет. Предложенная конструкция, по словам исследователей, способна обеспечить плотность записи до 1 терабита на квадратный дюйм, и каждый бит при комнатной температуре будет сохранять свое состояние на протяжении более одного миллиарда лет.
В состав разработанного устройства входят полая многослойная углеродная нанотрубка с подведенными к ней контактами и свободно перемещающаяся внутри нее наночастица железа. Формирование структуры с вложенной наночастицей происходит в процессе пиролиза ферроцена Fe(C5H5)2 в атмосфере аргона. При пропускании тока по трубке наночастица начинает перемещаться, изменяя направление движения при смене направления тока.
При проведении тестирования образца записанное состояние бита считывалось прямым наблюдением с помощью просвечивающего электронного микроскопа.
Эксперты полагают, что новая технология позволит значительно увеличить срок эксплуатации запоминающих устройств.Материалы по теме:Интернет разросся до вселенских масштабовToshiba сворачивает производство телефонов в ЯпонииIntel анонсировал новые процессорыВМФ получил высокотехнологичный «подарок»«Роснано» планирует запустить производство оптических чипов
Первоисточник: rosbalt.ru »
Новости по теме
23.05.2009 | Немецкий городок запретил кокаиновую колу
23.05.2009 | Южная Африка лишается пингвинов
22.05.2009 | Мужчинам будущего грозит вымирание
21.05.2009 | Тюмень: о традициях и духовности будут говорить в юридическом институте
21.05.2009 | В ТюмГНГУ состоится презентация учебно-научного центра "Нефтяник Сургута"
20.05.2009 | Египет даст авиакомпаниям РФ время для снижения шумности их самолетов
20.05.2009 | NASA запустило микроспутник с дрожжами на борту
19.05.2009 | Австрия не выходит из Центра ядерных исследований
18.05.2009 | Неандертальцы исчезли потому, что их съели
18.05.2009 | Стихийные бедствия и рукотворные последствия

Поиск знакомств
 Я
 Ищу
от до
 Новости  Скидки и предложения  Мода  Погода  Игры он-лайн  Интернет каталог
 Дневники  Кулинарная книга  Журнал Леди  Фотоальбомы  Анекдоты  Бесплатная почта
 Построение сайтов  Видео  Доска объявлений  Хостинг  Гороскопы  Флэш игры
Все права защищены © Алексей Каганский 2001-2008
Лицензионное соглашение
Реклама на сайте
Главный редактор Новостного отдела:
Валерий Рубин. т. 054-6715077
Связаться с редактором