 |
20.11.2007 11:00 |
| |
У NEC готова технология производства 40-нм встраиваемой памяти DRAM |
 |
Компания NEC Electronics и ее дочерние предприятия NEC Electronics America и NEC Electronics (Europe) GmbH, представили две новых технологии, предназначенных для производства 40-нм однокристальных систем со встроенной динамической памятью с произвольным доступом (eDRAM).
Техпроцесс UX8GD позволяет выпускать приборы, рассчитанные на частоты до 800 МГц и имеющие малое энергопотребление. По словам NEC, эта технология оптимальна для микросхем, применяемых в цифровых камерах, игровых приставках и других устройствах потребительской электроники. Микросхемы, изготовленные по технологии UX8LD, отличаются уменьшенным током уточки, что позволяет существенно уменьшить энергопотребление — по оценке компании, на две трети по сравнению с сопоставимыми чипами SRAM. Эти изделия оптимальны для сотовых телефонов и других портативных устройств, в которых критично малое энергопотребление в режиме ожидания.
Обе разработки построены на сочетании 40-нм техпроцесса CMOS и технологи изготовления eDRAM. Как утверждается, будут доступны конфигурации памяти объемом до 256 Мбит. Размер ячейки равен 0,06 мкм2, что на 50% меньше, чем размеры ячейки памяти, выпускаемой по 55-нм техпроцессу UX7LSeD eDRAM. Известно, что в новых чипах используются диэлектрики с высоким значением диэлектрической проницаемости (high-k).
Компания начла поставки образцов 55-нм eDRAM в октябре, рассчитывая перейти к серийному выпуску весной будущего года. Массовое производство 40-нм приборов должно начаться еще через год.
Источник: NEC Electronics
|
|
|
Навигация по порталу: 
