Сделать домашней страницей // Главная // Новости // Hardware  Навигация по порталу: 
Новости
Почта
Форум
Афиша
Дневники
Чаты
Знакомства
Недвижимость
Туризм
Альбомы
Гороскопы
Объявления
Видео
Кулинария
Фавориты Пишите Информация
Поиск в интернете
 Последние новости
Интернет
Наука
В мире
Общество
Курьезы
Новости Израиля
Новости городов Израиля
Культура
ТВ анонсы
Медицина и здоровье
Непознанное
Спорт
Происшествия
Безопасность
Софт
Hardware
Туризм
Кулинария
От редактора
Архив новостей
<< Сентябрь 2026 >>
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
  1 2 3 4 5 6
7 8 9 10 11 12 13
14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27
28 29 30        

Поиск в новостях
Новостные сайты
Российский центр культуры
Корреспондент.net
DELFI
Day.Az
ПРАВДА
Пресса Молдовы
Лента.ру
Новый регион 2
ЦентрАзия
ГрузияOnline
Еврейский центр
Благовест
Христианское общение
Авиабилеты Журнал Леди Экспорт новостей Бизнес каталог
Афиша Фотогалереи Экспорт гороскопов Хостинг
Погода Анекдоты Новости потребителя Реклама в интернете
Игры Отдых в Израиле Доска объявлений Построение сайтов
Hardware
  07.11.2007 14:00 | Память нового типа может в ближайшие годы вытеснить флэш-память
По сообщению источника, в университете штата Аризона создан новый тип памяти, принцип работы которой построен на перемещении атомов.
Предметом исследований университетского центра прикладной наноионики (Center for Applied Nanoionics, CANi) стала технология, известная под названием «программируемые металлизированные ячейки» (programmable metallisation cell, PMC). Как утверждается, PMC позволит преодолеть ограничения используемых сейчас технологий памяти. По оценкам исследователей, новая память может быть энергетически в 1000 эффективнее флэш-памяти и подходит для использования в USB-накопителях, цифровых камерах, проигрывателях MP3 и ноутбуках. Немаловажным достоинством новой памяти является низкая стоимость – это объясняется тем, что в ней используются материалы, уже применяемые в полупроводниковой промышленности.
Своими преимуществами новая память обязана принципу, лежащему в основе ее работы. В отличие от флэш-памяти, хранящей информацию в форме электрического заряда, PMC представляет логические состояния с помощью сопротивления. Поскольку с уменьшением размера ячейки уменьшается и заряд, который она может хранить, флэш-память неминуемо подходит к физическому пределу своих возможностей – слишком маленькими получаются заряды. Память, в которой информации представлена сопротивлением, по мнению ученых, избавлена от этого недостатка. Более того, она дает возможность хранить в одной ячейке несколько бит.
Ключевым элементом ячейки новой памяти является группа атомов меди. В одном логическом состоянии они выстроены в линию, формируя проводник, соединяющий два электрода – сопротивление минимально. В другом состоянии атомы расположены хаотично, а сопротивление участка максимально. Переход между двумя состояниями обеспечивается с помощью напряжения, приложенного к электродам. Переход полностью обратим, то есть ячейка может многократно изменять свое состояние. Состояние сохраняется в отсутствие источника питания – память является энергонезависимой.
Разработкой уже заинтересовались крупные производители. В частности, интерес проявили компании Samsung, Sony и IBM, а Micron Technology и Qimonda даже успели приобрести лицензии на применение технологии PMC в своей продукции. Первые коммерческие продукты с использованием новой технологии ожидаются на рынке в ближайшие полтора года.
Источники: Университет штата Аризона, Techworld.com
Первоисточник: ixbt.com »
Новости по теме
07.11.2007 | Super Talent: миниатюрные флэш-накопители PICO
07.11.2007 | Lenovo впервые пополняет семейство ПК под маркой Think
07.11.2007 | Tensilica обновляет семейство процессорных ядер Diamond Standard
06.11.2007 | Cray представила XT5 - семейство суперкомпьютеров нового поколения
06.11.2007 | Тонкий и легкий ноутбук Fujitsu LifeBook S7211 оснащен 14-дюймовым экраном
06.11.2007 | NVIDIA, Dell, etc. анонсируют ESA, открытый стандарт для систем питания и охлаждения
06.11.2007 | ASRock нацеливается на премиум-сегмент рынка системных плат
06.11.2007 | Sony спрятала блок питания внутри PlayStation 2
06.11.2007 | Walton Chaintech анонсирует оверклокерскую память APOGEE GT DDR3 1800
06.11.2007 | Пассивный радиатор для GeForce 8800 GT от Thermalright

Поиск знакомств
 Я
 Ищу
от до
 Новости  Скидки и предложения  Мода  Погода  Игры он-лайн  Интернет каталог
 Дневники  Кулинарная книга  Журнал Леди  Фотоальбомы  Анекдоты  Бесплатная почта
 Построение сайтов  Видео  Доска объявлений  Хостинг  Гороскопы  Флэш игры
Все права защищены © Алексей Каганский 2001-2008
Лицензионное соглашение
Реклама на сайте
Главный редактор Новостного отдела:
Валерий Рубин. т. 054-6715077
Связаться с редактором