Сделать домашней страницей // Главная // Новости // Hardware  Навигация по порталу: 
Новости
Почта
Форум
Афиша
Дневники
Чаты
Знакомства
Недвижимость
Туризм
Альбомы
Гороскопы
Объявления
Видео
Кулинария
Фавориты Пишите Информация
Поиск в интернете
 Последние новости
Интернет
Наука
В мире
Общество
Курьезы
Новости Израиля
Новости городов Израиля
Культура
ТВ анонсы
Медицина и здоровье
Непознанное
Спорт
Происшествия
Безопасность
Софт
Hardware
Туризм
Кулинария
От редактора
Архив новостей
<< Сентябрь 2026 >>
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
  1 2 3 4 5 6
7 8 9 10 11 12 13
14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27
28 29 30        

Поиск в новостях
Новостные сайты
Российский центр культуры
Корреспондент.net
DELFI
Day.Az
ПРАВДА
Пресса Молдовы
Лента.ру
Новый регион 2
ЦентрАзия
ГрузияOnline
Еврейский центр
Благовест
Христианское общение
Авиабилеты Журнал Леди Экспорт новостей Бизнес каталог
Афиша Фотогалереи Экспорт гороскопов Хостинг
Погода Анекдоты Новости потребителя Реклама в интернете
Игры Отдых в Израиле Доска объявлений Построение сайтов
Hardware
  31.10.2007 04:40 | Micron ставит мировой рекорд плотности компонентов и модулей памяти DDR3
Компоненты памяти DDR3 плотностью 2 Гбит и модули на их основе объемом 16 Гбайт - для серверов и 4 Гбайт - для настольных ПК и ноутбуков создали специалисты компании Micron Technology. По ее данным, пока больше никто из производителей памяти не выпустил на рынок компоненты DDR3 плотностью 2 Гбит и модули указанного объема. Увеличение объема модулей хорошо согласуется с возросшими требованиями со стороны операционной системы Windows и приложений нового поколения.
Компоненты выпускаются по нормам 78 нм. Пропускная способность памяти DDR3, по данным компании, составляет 1333 Мбит/с. Это должно обеспечить значительный прирост общей производительности систем, особенно, на приложениях, интенсивно работающих с большими массивами данных. Для наглядности, компания приводит такой пример: пропускная способность 1333 Мбит/с соответствует передаче текстового документа из 100000 страниц за время порядка одной секунды.
Важной особенностью новой памяти является пониженное с 1,8 В до 1,5 В напряжение питания. За счет этого, компоненты DDR3 плотностью 2 Гбит потребляют на 20-30% меньше электроэнергии, чем их предшественники, компоненты DDR2. Дальнейшая экономия электричества обеспечивается за счет уменьшения количества компонентов в составе модуля (на 40-50%, в зависимости от типоразмера модуля).
В настоящее время, компания Micron отгружает ознакомительные образцы модулей DDR3, в которых используются компоненты плотностью 2 Гбит, предназначенных для серверов, настольных ПК и ноутбуков. Сроком, когда эти модули станут коммерчески доступны, назван первый квартал будущего года.
Источник: Micron Technology
Первоисточник: ixbt.com »
Новости по теме
31.10.2007 | AMD: Radeon HD 3800 - решение для DirectX 10.1
31.10.2007 | Toshiba расширяет линейку внешних накопителей моделью объемом 250 Гб
31.10.2007 | Бюджетный 20"-й LCD-монитор Envision
31.10.2007 | "Материнка" ASRock для 45-нм Intel Wolfdale
31.10.2007 | Молодежный ноутбук Averatec 2500
30.10.2007 | Elitegroup представляет новые системные платы и видеокарты
30.10.2007 | ASUS M3A-MVP Deluxe WiFi: плата на базе AMD 790FX
30.10.2007 | HIS: AMD/ATI Radeon HD 2600XT c AGP-интерфейсом
30.10.2007 | ZOTAC AMP! Edition - фабрично разогнанная карта на GeForce 8800GT
30.10.2007 | Производительность Conroe, Kentsfield, Penryn и Phenom в Crysis

Поиск знакомств
 Я
 Ищу
от до
 Новости  Скидки и предложения  Мода  Погода  Игры он-лайн  Интернет каталог
 Дневники  Кулинарная книга  Журнал Леди  Фотоальбомы  Анекдоты  Бесплатная почта
 Построение сайтов  Видео  Доска объявлений  Хостинг  Гороскопы  Флэш игры
Все права защищены © Алексей Каганский 2001-2008
Лицензионное соглашение
Реклама на сайте
Главный редактор Новостного отдела:
Валерий Рубин. т. 054-6715077
Связаться с редактором