 |
13.06.2007 16:40 |
| |
Texas Instruments представляет технологию создания high-k материалов |
 |
Несмотря на то, что, как мы уже сообщали, корпорация Texas Instruments намерена остановиться в развитии собственных технологических процессов на нормах 45 нм, компания планирует использовать в своем 45-нм производстве ряд передовых технологий. Одна из таких технологий – новый материал на основе гафния, обеспечивающий высокую диэлектрическую постоянную (high-k).
По опубликованным сегодня данным TI, новый материал обеспечивает на 30% меньший ток утечки, чем традиционный диоксид кремния (SiO2). Согласно планам компании, переход с 65-нм на 45-нм нормы с использованием 193-нм литографических инструментов обеспечит вдвое большую производительность (выпуска ИС). TI ожидает, что 45-нм SoC-процессоры (пробные образцы ожидаются к середине 2008) будут обладать на 30% лучшим быстродействием, потребляя на 40% меньше электроэнергии.
В пресс-релизе компании подчеркивается, что гафниевая диэлектрическая пленка также является одним из перспективных материалов для применения для более тонких норм, 32 нм. Очевидно, TI намерена предложить свою технологию будущим производственным партнерам. По технологии TI, пленка HfSiON создается путем обработки азотной плазмой слоя HfSiO, нанесенного стандартным методом напыления.
Источник: Texas Instruments
|
|
|
Навигация по порталу: 
