Сделать домашней страницей // Главная // Новости // Hardware  Навигация по порталу: 
Новости
Почта
Форум
Афиша
Дневники
Чаты
Знакомства
Недвижимость
Туризм
Альбомы
Гороскопы
Объявления
Видео
Кулинария
Фавориты Пишите Информация
Поиск в интернете
 Последние новости
Интернет
Наука
В мире
Общество
Курьезы
Новости Израиля
Новости городов Израиля
Культура
ТВ анонсы
Медицина и здоровье
Непознанное
Спорт
Происшествия
Безопасность
Софт
Hardware
Туризм
Кулинария
От редактора
Архив новостей
<< Сентябрь 2026 >>
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
  1 2 3 4 5 6
7 8 9 10 11 12 13
14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27
28 29 30        

Поиск в новостях
Новостные сайты
Российский центр культуры
Корреспондент.net
DELFI
Day.Az
ПРАВДА
Пресса Молдовы
Лента.ру
Новый регион 2
ЦентрАзия
ГрузияOnline
Еврейский центр
Благовест
Христианское общение
Авиабилеты Журнал Леди Экспорт новостей Бизнес каталог
Афиша Фотогалереи Экспорт гороскопов Хостинг
Погода Анекдоты Новости потребителя Реклама в интернете
Игры Отдых в Израиле Доска объявлений Построение сайтов
Hardware
  10.04.2007 00:41 | TSMC планирует начать производство по нормам 45 нм в сентябре
Тайваньский контрактный производитель полупроводниковых чипов Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) сообщил, что намеревается закончить все приготовления к серийному производству по нормам 45 нм к началу сентября текущего года. Новый техпроцесс объединяет 193-нм иммерсионную литографию; технологию «напряженного кремния», позволяющую повысить быстродействие; и применение диэлектриков со сверхнизким значением диэлектрической проницаемости (extreme low-k, ELK).
Как и ожидалось, на первом этапе TSMC будет выпускать низковольтные варианты 45-нм чипов. По плотности размещения элементов новые изделия вдвое превзойдут те, которые производятся по нормам 65 нм. Существенно будет снижено энергопотребление чипов и удельная стоимость их производства. Особенно важен выигрыш по этим критериям для однокристальных систем, предназначенных для сотовых телефонов, проигрывателей, КПК и других мобильных устройств.
Разновидности техпроцесса, оптимизированные для выпуска микросхем общего назначения и высокопроизводительных изделий, также позволяют достичь, по меньшей мере, удвоенной плотности размещения элементов. Повышение быстродействия по сравнению с предыдущим поколением чипов должно превысить 30% при сопоставимой мощности утечки, что особенно важно для ПК, сетевого и коммуникационного оборудования.
Источник: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
Первоисточник: ixbt.com »
Новости по теме
09.04.2007 | Новые цены на процессоры AMD объявлены официально
09.04.2007 | Fujitsu решила подождать с выпуском 1,8-дюймовых винчестеров
09.04.2007 | Цена Athlon 64 X2 3600+ опустилась до 65 долларов; скоро микропроцессоры будут раздавать бесплатно?
08.04.2007 | USB-хаб, который не боится падений
08.04.2007 | Ampro COM 840: Santa Rosa на плате размерами 95 x 125 мм
08.04.2007 | "Квадратный ноль" Dirac: миниатюрный barebone на платформе VIA
07.04.2007 | TI обещает: во второй половине 2008 года появятся мобильные устройства со встроенными проекторами
07.04.2007 | Трио системных плат Gigabyte на чипсете AMD 690 с поддержкой HD
07.04.2007 | Крошечный одноплатный компьютер WinSystems PPM-GX не боится жары и холода
07.04.2007 | OCZ - память серии Reaper стала еще быстрее

Поиск знакомств
 Я
 Ищу
от до
 Новости  Скидки и предложения  Мода  Погода  Игры он-лайн  Интернет каталог
 Дневники  Кулинарная книга  Журнал Леди  Фотоальбомы  Анекдоты  Бесплатная почта
 Построение сайтов  Видео  Доска объявлений  Хостинг  Гороскопы  Флэш игры
Все права защищены © Алексей Каганский 2001-2008
Лицензионное соглашение
Реклама на сайте
Главный редактор Новостного отдела:
Валерий Рубин. т. 054-6715077
Связаться с редактором