 |
13.12.2006 00:15 |
| |
PRAM - скоростная альтернатива флэш-памяти |
 |
Специалисты компаний IBM, Macronix и Qimonda объявили прессе, что им удалось создать новый тип памяти, так называемую PRAM (phase-change RAM, ОЗУ на базе материалов с переменной фазой). Обладая главным достоинством флэш-памяти, способностью хранить данные даже при отключении источника энергии, PRAM должна обеспечить в 500-1000 раз более высокую скорость при сниженном вдвое энергопотреблении. Кроме того, количество циклов чтения-записи для PRAM ничем не ограничено, как и в случае с обычной DRAM. Устройства на базе PRAM, по словам учёных, смогут заменить самые быстрые жёсткие диски, постоянную память в портативных устройствах, а также кэш. Размеры модулей памяти очень небольшие: рабочий прототип, например, имеет всего 3 нм в толщину и 20 нм – в ширину. В отличие от наиболее распространённых сейчас модулей памяти SRAM и DRAM, которые требуют постоянного питания для поддержания хранящихся в них данных, модули PRAM не тратят на это энергию. В основе PRAM лежат микроскопические кластеры вещества, способного находится в кристаллическом либо аморфном состоянии. Переключение между фазами у этого вещества происходит предельно быстро, но после переключения подавать на модуль напряжение уже нет надобности – конфигурация каждого кластера запоминается. По сути, технология PRAM представляет собой уже известные нам перезаписываемые диски, где в качестве агента, изменяющего фазу вещества, выступает луч лазера. Помимо IBM и партнёров, аналогичные разработки ведут Samsung и Intel, так что скачка в скоростных показателях компактных накопителей следует ожидать достаточно скоро.
|
|
|
Навигация по порталу: 
