Сделать домашней страницей // Главная // Новости // Hardware  Навигация по порталу: 
Новости
Почта
Форум
Афиша
Дневники
Чаты
Знакомства
Недвижимость
Туризм
Альбомы
Гороскопы
Объявления
Видео
Кулинария
Фавориты Пишите Информация
Поиск в интернете
 Последние новости
Интернет
Наука
В мире
Общество
Курьезы
Новости Израиля
Новости городов Израиля
Культура
ТВ анонсы
Медицина и здоровье
Непознанное
Спорт
Происшествия
Безопасность
Софт
Hardware
Туризм
Кулинария
От редактора
Архив новостей
<< Сентябрь 2026 >>
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
  1 2 3 4 5 6
7 8 9 10 11 12 13
14 15 16 17 18 19 20
21 22 23 24 25 26 27
28 29 30        

Поиск в новостях
Новостные сайты
Российский центр культуры
Корреспондент.net
DELFI
Day.Az
ПРАВДА
Пресса Молдовы
Лента.ру
Новый регион 2
ЦентрАзия
ГрузияOnline
Еврейский центр
Благовест
Христианское общение
Авиабилеты Журнал Леди Экспорт новостей Бизнес каталог
Афиша Фотогалереи Экспорт гороскопов Хостинг
Погода Анекдоты Новости потребителя Реклама в интернете
Игры Отдых в Израиле Доска объявлений Построение сайтов
Hardware
  06.12.2006 19:45 | Память Z-RAM Gen2: скорость - выше, энергопотребление - ниже
Компания Innovative Silicon, разработавшая память Z-RAM, объявила о создании второго поколения этой технологии, которое получило название Z-RAM Gen2. Основные отличия новой памяти – значительный прирост производительности и столь же значительное снижение энергопотребления.
Практически одновременно было объявлено о заключении контракта с компанией AMD, которая заинтересована в получении лицензии на Z-RAM Gen2. Напомним, ранее AMD приобрела у Innovative Silicon лицензию на первое поколение Z-RAM.
Ключевое отличие технологии Z-RAM от используемой сейчас памяти SDRAM состоит в том, что для хранения информации в ней не используются конденсаторы. Запись и хранение данных основано на эффекте «плавающего тела» (floating-body), который имеет место в микросхемах, выполненных по технологии SoI (silicon-on-insulator, «кремний-на-диэлектрике»). Как следствие, Z-RAM можно изготавливать в рамках стандартного техпроцесса SoI CMOS. В то же время, благодаря указанному отличию, размер ячейки Z-RAM в несколько раз меньше, чем размер ячейки SDRAM.
В свою очередь, ячейка Z-RAM Gen2 способна хранить больший заряд, чем это было в ячейке Z-RAM первого поколения. За счет увеличения заряда удалось повысить различимость состояний ячейки (разницу между «нулем» и «единицей») и время хранения информации. В результате, стало возможным значительно повысить скорость чтения и записи, одновременно снизив потребление энергии. Ориентировочно, Z-RAM Gen2 вдвое быстрее, при чтении потребляет на 75% меньше энергии, а при записи - на 90%, по сравнению со своей предшественницей. По оценке разработчика, новая память имеет более широкий круг применений: от приборов, работающих на частотах выше 1 ГГц, до критичных к энергопотреблению приборов для устройств с батарейным питанием.
К настоящему моменту технология Z-RAM Gen2 успешно опробована на 90-нм техпроцессе, идет тестирование применительно к нормам 65 и 45 нм.
Источник: Innovative Silicon
Первоисточник: ixbt.com »
Новости по теме
06.12.2006 | Sparkle выпускает 80-нм версию Calibre P735+ с 256 Мб памяти GDDR3
06.12.2006 | TSMC - главный соперник Intel в технологической гонке?
06.12.2006 | Qualcomm: чипсеты беспроводной связи из настоящего и будущего
06.12.2006 | AMD выпустила первые 65 нм процессоры
06.12.2006 | Casio предлагает альтернативу батарейкам - топливные элементы на метаноле
06.12.2006 | AMD впервые попадает в десятку крупнейших компаний отрасли
05.12.2006 | Teac: новые компактные и мультиформатные приводы DVD=RW для ноутбуков
05.12.2006 | Fujitsu представляет новый 256-Мбит чип FCRAM для мобильных устройств
05.12.2006 | Два недорогих чипсета SiS для Windows Vista
05.12.2006 | Трёхмерное изображение в воздухе без голографии. Японское решение

Поиск знакомств
 Я
 Ищу
от до
 Новости  Скидки и предложения  Мода  Погода  Игры он-лайн  Интернет каталог
 Дневники  Кулинарная книга  Журнал Леди  Фотоальбомы  Анекдоты  Бесплатная почта
 Построение сайтов  Видео  Доска объявлений  Хостинг  Гороскопы  Флэш игры
Все права защищены © Алексей Каганский 2001-2008
Лицензионное соглашение
Реклама на сайте
Главный редактор Новостного отдела:
Валерий Рубин. т. 054-6715077
Связаться с редактором